三星的混合鍵合技術預計將應用於英偉達下一代人工智慧加速器費曼，該晶片具備客製化高頻寬記憶體。

三星電子已開始在其平澤P5工廠建設一條晶片對晶圓（D2W）混合鍵合量產線。此舉針對下一代HBM和邏輯半導體的先進封裝，核心設備供應商為荷蘭的Besi。 混合鍵合技術取代了傳統的熱壓鍵合，實現直接銅鍵合，並顯著縮短互連長度。其主要應用於客製化HBM，其中DRAM層垂直堆疊在邏輯晶片上，形成3D系統級封裝。 Citrini分析師Jukan預計，這項技術將用於英偉達的下一代AI加速器Feynman，該加速器將採用客製化HBM。三星內部估計大規模應用約在2029-2030年，與Feynman的預期時間表一致。 [律动]