三星混合鍵合技術預計將用於英偉達下一代AI加速器Feynman，晶片將採用定製HBM

三星電子已在平澤 P5 工廠啟動 Die-to-Wafer (D2W) 混合鍵合量產線建設，目標是下一代 HBM 與邏輯半導體的先進封裝。該技術採用混合銅鍵合，可大幅縮短互連長度，核心應用場景為定製 HBM。 Citrini 分析師 Jukan 預計，混合鍵合技術將用於英偉達下一代 AI 加速器 Feynman，該晶片將採用定製 HBM。三星內部預計該技術將在 2029 至 2030 年左右實現規模化應用，與 Feynman 的預期視窗重合。 三星在裝置採購上面臨挑戰，正考慮本土替代方案。 [律動]