SK海力士加快龍仁半導體叢集建設，已啟動Y1晶圓廠裝置採購

SK 海力士已開始為龍仁半導體叢集首座晶圓廠 Y1 的第一階段潔淨室採購裝置，初期計劃新增月產 2 萬片的 1c DRAM 產能。Y1 原計劃於 2027 年 5 月啟用第一階段潔淨室，現已提前至 2027 年 2 月。 公司計劃屆時啟動試生產線建設，並於 3 月至 4 月進行正式裝置安裝，擴大月產 2 萬片的生產能力。該產線主要生產第六代 10 納米級 1c DRAM，可用於 AI 相關高附加值 DDR、LPDDR 產品，並計劃應用於最早於 2027 年商業化的 HBM4E。為加快裝置匯入，SK 海力士還將通常於年末進行的裝置售價合同談判提前至第三季度初。 SK 海力士正同步加快龍仁半導體叢集整體建設進度。該專案總投資約 600 萬億韓元，由 4 座晶圓廠組成，第四座晶圓廠完工目標已由 2045 年提前至 2033 年；Y1 第二及第三階段潔淨室預計將於今年下半年開始建設。 [BlockBeats]