DRAM 股價下跌 25%，因其最大的風險開始顯現

Roundhill 記憶體 ETF（CBOE：DRAM）本月遭遇大幅回調，較歷史高點下跌 25%，因記憶體產業的關鍵風險正逐步浮現。

DRAM 於 4 月推出，目前仍較其歷史低點上漲 125%，資產管理規模（AUM）達 221.6 億美元。該 ETF 已成為最快突破 200 億美元里程碑的 ETF。

其成長主要受記憶體產品與晶片強勁需求驅動，其成份股公司亦在企業界中展現出部分最亮眼的成長指標。

一個典型例子是美光科技（NASDAQ：MU），其近期公佈亮眼財報：第三季營收年增 303%，達 410 億美元；管理層預期第四季營收將達 500 億美元。分析師預估其今年全年營收將增長 246%，達 1290 億美元，明年更將進一步攀升至 2360 億美元。

記憶體裝置龍頭廠商 SanDisk（NASDAQ：SNDK）預計今年營收達 197.5 億美元，明年則達 440 億美元。此一趨勢亦見於其他企業，包括韓國的三星電子（Samsung）與 SK 海力士（SK Hynix）。上述多數企業已全年度產能售罄，進而推升其股價。

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DRAM ETF 的關鍵風險正逐步浮現

儘管 Roundhill 記憶體 ETF 今年表現亮眼，但當前也面臨正逐步浮現的重大風險。其主要風險在於持股集中度過高——前三大成份股（美光科技、三星電子與 SK 海力士）合計佔基金比重達 75%。

因此，市場日益擔憂：若其中任一企業發生重大挫折（例如營收未達預期），恐將對整檔基金造成負面衝擊。另一潛在風險在於，三星電子與 SK 海力士領漲韓國股市，當地融資融券交易量亦同步飆升。歷史經驗顯示，由投資人狂熱情緒與 FOMO（錯失恐懼症）所推動的股票，往往在初始熱潮退去後出現回落。

此外，蓬勃發展的資料中心建置浪潮亦有減速跡象。舉例而言，資料中心產業巨擘 Meta Platforms（NASDAQ：META）正考慮出售其額外的運算資源。

部分記憶體產品價格亦出現降溫跡象。最新報告指出，DRAM 合約價於第三季將季增 13% 至 18%，NAND 則季增 10% 至 15%。雖屬強勁成長，但已低於第二季高達 60% 的增幅。

與此呼應的是，記憶體裝置與晶片歷來具有高度週期性特徵：強勁需求與高價期之後，往往接續出現供過於求、庫存累積過高及價格走低等階段。部分企業（如 SanDisk）已透過與客戶簽訂多年期協議以緩解此一風險，但倘若價格下滑，仍將受到波及。

DRAM 股價走勢圖｜資料來源：TradingView

從技術面觀察，DRAM 自 5 月起即持續發出警示訊號，形成空方背離型態。此型態出現於資產價格上揚之際，相對強弱指標（RSI）等震盪指標卻同步走低，如圖表所示。

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