據報導，英特爾正考慮在其 1.4 奈米製程節點採用雙重供應策略，以追趕台積電與三星。

在 7 月 5 日，Intel 正在考慮在其 1.4 奈米（nm）的超製程中採用雙面供電架構，利用來自正面和背面的電力來追趕競爭對手。據產業消息人士透露，Intel 最初計劃在其 1.4 奈米基礎製程 14A 中使用背面供電技術 PowerDirect，但在後續的 14A2 製程中，它正在考慮引入一種同時利用正面和背面電力的雙面架構。 Intel 此前曾宣布計劃在 14A 製程上實現比 18A 高出 1.3 倍的晶片密度；14A 製程的目標 M0 間距約為 28 奈米，而 14A2 製程可能透過半節點改進將 M0 間距推進到 21 奈米。在維持背面供電網路作為主要重點的同時，Intel 將重新分配部分正面金屬佈線，用於輔助供電和時脈訊號，以彌補小型化和曝光限制所造成的電力餘裕不足。 Intel 的 14A 製程計劃於 2028 年進入風險生產，並於 2029 年進入量產。Intel 需要在今年 10 月向外部客戶發布 14A 製程 0.9 版本製程設計套件（PDK），並在接下來的 18 個月內確保來自主要無廠客戶的訂單。 相比之下，台積電計劃於 2028 年出貨其真正的 1.4 奈米 A14 產品，而三星電子也計劃在其 2 奈米增強型 SF2Z 製程中採用背面供電技術，並於 2027 年商用。 [律動]